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今年以来，Flash闪存供应充足，SSD的价格从去年的高位被“打回原形”，消费者终于可以慢慢挑选了。 据Chosun Ilbo报道，韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。 这些投入首先是用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术。本周，三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存，采用96层堆叠、单Die 32GB容量，领先竞争对手两年的时间。 IC Insights分析指出，三

集微网消息（文/小北）今天，英特尔与美光针对双方在3D Xpoint上的合作做出了联合声明，双方将继续合作推进第二代3D Xpoint存储技术的研发，预计于2019年上半年完成，并在Lehi工厂制造。同时，在第二代3D Xpoint存储技术之后，双方将追求独立发展，以便针对各自的产品和业务需求进行技术的优化。 这份声明意味着：就3D Xpoint合作关系，英特尔与美光将在2019年正式分手。 此外，今年1月份英特尔与美光共同宣布，在完成第三代3D NAND Flash研发后，双方将开启各自的研

东芝认为其3D NAND BiCS在非挥发性存储器产品成为市场主流前，仍有很多创新研发空间。法新社 在日前于美国加州举行的2018年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见全球各主要NAND Flash制造商揭橥各自对下世代产品及架构的产品规划蓝图，一如预期，英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)及东芝(Toshiba)已在谈论QLC 3D NAND技术、发布96层3D NAND，并概述延伸至128层以上以进一步提升密度的NAND

近日，在2019中国闪存峰会期间，兆易创新代理总经理何卫表示，悲观对待公司第三季度的生长，目先兆易确实感遭到NOR Flash需求的上升，以至呈现产能慌张的状况。我们看到，近年来，兆易创新构成了MCU+存储+传感器的产品线生态，特别存储的规划曾经从NOR Flash、NAND Flash逐步延伸至DRAM。何卫以为这是面对终端应用需求的必然。 NOR Flash接单旺盛 NOR Flash做为通用型器件应用普遍，兆易创新重点专注6大应用范畴，产种类类多样，例如宽电压、低功耗、高性能、大容量以及

存储器控制芯片厂群联与存储器模组厂威刚分歧看好第4季贮存型快闪存储器（NAND Flash）市况，预期可望维持正向到年底。 随着动态随机存取存储器（DRAM）与NAND Flash价钱双双落底，市场买气明显回温，威刚第3季营收攀高至新台币64.93亿元，也较第2季增加16.5%。 瞻望将来，群联表示，因应年底销售旺季及美国关税问题，系统厂10月起将展开新一波补货潮，预期NANDFlash需求及价钱将一路维持涨势到年底，对第4季营运瞻望正向。 威刚也指出，材料中心库存已回复正常，需求可望逐渐回温

2019年的10月1日，闪存巨头东芝存储公司将公司称号更名为 Kioxia Corp. 。作为不依赖东芝品牌的闪存和应用产品的专业供给商，旗下业务开端了一段新旅程。 出卖东芝记忆体比原方案落后一年多 东芝存储器于2017年4月1日经过拆分闪存业务开端作为东芝的全资子公司而存在。分拆的目的，旨在经过出卖闪存业务来改善东芝本身的财务情况。最初，该买卖方案最迟于2018年3月31日完成。但是众所周知，这种希冀将大大延迟。 随着东芝存储器的推出，闪存业务合资企业Western Digital（以下简称

存储器厂旺宏将于周四(24日)召开法说，发布第3季财报，市场除关注第4季及明年营运瞻望，由于第3季大客户拉货动能强劲，旺宏库存去化水平、毛利率表现将受瞩，NAND与NOR Flash需求表现、及19纳米SLC NAND出货状况也将成为焦点。 旺宏第3季适逢传统营运旺季，由于大客户推出新机种，随着市场需求提升，带动ROM拉货动能优于预期，且各产品线动能均相当强劲，第3季营收季增幅更达近6成，并胜利创高。 旺宏第2季存货金额188.67亿元，较第1季的184.75亿元（新台币，下同）小幅生长，其中

  据经济日报报道，周三（6月30日）美国最大记忆芯片厂美光（Micron）公布的本季财测高于市场预期，显示计算机与手机的资料储存半导体需求强健。美光先前预告过的出售犹他州芯片厂给德州仪器一案，将为公司带进9亿美元现金。   美光估NAND、DRAM供应吃紧至明年   美光估计本季（6月到8月）营收约82亿美元，高于分析师预期的78.5亿美元；剔除特定项目调整后的每股盈余约2.3美元，分析师预期为2.17美元。美光表示，本季毛利率将在46%上下1个百分点，符合市场预期的46%。   财报公布后