开关 相关话题

LTM8020MPV、LTM8022MPV和LTM8023MPV是200mA、1A和2A36V输入微型模块稳压器，采用非常紧凑的LGA（焊盘网格阵列）封装。LTM8020的封装尺寸为6.25mmx6.25mmx2.3mm，LTM8022和LTM8023则为9mmx11.25mmx2.8mm。为了减轻设计师的布局负担，1A输出的LTM8022及其2A输出版本的LTM8023被制造成具有同样的布局和引脚排列，由于LGA封装具有低于尺寸相似的球栅阵列（BGA）封装的热阻，因此已被多个军用系统设计师认

虽然占空比有 限制，但本电源管理技巧重点探讨占空比的 限制。 在连续导通模式(CCM)下，降压型开关稳压器（降压变换器）的占空比相当于输出电压除以输入电压。因此如果输出电压正好是输入电压的一半，对应的占空比为 50%。根据实际分量和相应的寄生损失，这个占空比实际上稍有不同。不过这个简单的占空比计算公式已足够用于估算。 图1.采用ADP2389（中国电子元器件网亿配芯城有售)的典型降压型开关稳压器， 输出电流为12 A 因此，如果通过5 V电源电压产生1 V输出电压，对应的占空比为20%。图1显

DC/DC转换器启动时的Vout电压基本上假设为零伏，但实际上由于电路构成和短时间内的重新启动等因素影响，启动前Vout可能存在电压，也就是说可能并非为零。在很多情况下，是连接于Vout的Cout、或负载（供电的IC等）的Cin等残留有电荷，或者来自其他路径的漏电流或来自上拉电阻的偏置等导致的。 在存在这些预偏置的状态下，如果同步整流降压转换器的低边开关（MOSFET）导通，则可能会吸收过大的电流，从而导致MOSFET损坏。为了防止这种情况发生，电子元器件采购平台使用预偏置保护功能来控制低边开

开关稳压器可以采用单片结构，也可以通过控制器构建。在单片式开关稳压器中，各功率开关（一般是MOSFET）会集成在单个硅芯片中。使用控制器构建时，除了控制器IC，还必须单独选择半导体和确定其位置。选择MOSFET非常耗费时间，且需要对开关的参数有一定了解。电子元器件代理商表示使用单片式设计时，设计人员无需处理这些问题。此外，相比高度集成的解决方案，控制器解决方案通常会占用更多的电路板空间。所以，毫不意外多年来人们越来越多地采用单片式开关稳压器，如今，即使对于更高功率，ADI公司也有大量的解决方案

正能量ic交易网这篇技术文章讨论单极开关或单极霍尔效应传感器。单极传感器是产生数字输出的霍尔效应集成电路器件的一般类别之一。本文介绍了开关的操作、必要的元件以及这些开关的应用。 单极霍尔效应传感器集成电路，通常称为“单极开关”，由正磁场操作。一个具有足够强度(磁通量密度)的南极(正)磁场的单个磁体将导致设备切换到其打开状态。电源接通后，单极ic将保持导通，直到磁场消失，IC回到关断状态。 图1示出了用于检测车辆变速杆位置的应用程序。换档杆中安装有磁铁(红色和蓝色气缸)。微型黑盒生产线是单极开关

关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体能够通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确认，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。浪涌电流显著变大时，有或许会引起误动作和体系问题。并且，在超越最大额定电流时，有导致损坏的风险。通过与MOSFET Q1的栅极、