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电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日,SK海力士发布2023年第四季度财报显示,公司2023财年第四季度结合并收入为11.3055万亿韩元,营业利润为0.3460万亿韩元,净亏损为1.3795万亿韩元。2023财年第四季度营业利润率为3%,净亏损率为12%。值得注意的是,2023年第四季度营业利润达到0.3460万亿韩元,同比去年第四季度,以及环比2023年第三季度,均成功实现了扭亏为盈。 图源:SK海力士 SK海力士解释道:“去年第四季度用于AI服务器和移动端的产品需求增长,平均售价(ASP,
韩国存储芯片巨头SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度财报中,展现出强大的增长势头。数据显示,公司的主力产品DDR5 DRAM和HBM3的营收较2022年分别增长了4倍和5倍以上,成为推动公司营收增长的主要力量。 在具体财务数据方面,第四季度营收同比增长47%,达到11.3055万亿韩元,远超分析师预期的10.4万亿韩元。毛利润同比增长9404%,达到2.23亿韩元,毛利润率连续三个季度回升,保持在20%的水平。尽管公司仍然处于净亏损状态,但净亏损额为1.3795万亿韩元,较前一季度

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2024-01-27
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韩国首尔,2024年1月25日 - 韩国SK海力士发布了其截至2023年12月31日的2023财年和第四季度财务报告。该公司在2023财年Q4(最后一个季度)获得合并收入达到了11.3055万亿韩元,实现营业利润0.3460万亿韩元,而净亏损则扩大至1.3795万亿韩元。收益利润率为3%,净亏损率为12%。经过这一次逆转,公司成功在仅仅一年后就摆脱了自2022年Q4以来的连续营业亏损。 SK海力士表示,由于去年第四季度AI服务器和移动设备的库存需求增加以及平均售货价格的上涨等因素,存储市场状况
SK海力士,全球知名的存储芯片制造商,近日公布了其第四季度的财务报告。报告显示,公司在这一季度实现了盈利,这是自2022年第四季度以来首次实现季度盈利。 在上一财年同期,SK海力士曾面临1.91万亿韩元的营业亏损。然而,在今年的第四季度,公司成功实现了3460亿韩元的营业利润。与此同时,其营收也大幅增长了47.4%,达到了11.3万亿韩元。 这一显著的业绩改善主要得益于高端存储芯片产品需求的不断增长。随着全球数字化进程的加速,尤其是云计算、人工智能和大数据等领域的迅猛发展,对高性能存储芯片的需
据业内人士透露,全球第五大CIS(图像传感器)厂商SK海力士正面临订单不足的问题,考虑在今年年底前将基于12英寸晶圆的CIS产量减少至每月6000片。这一数字相较于去年的每月11,000片产量,减少了约45%。 由于未能从主要客户如三星电子等获得足够的订单,SK海力士不得不重新考虑其生产和业务策略。如果无法获得额外的订单或新客户,减产可能成为不可避免的选择。 此外,由于市场需求的变化和减少,SK海力士的以CIS为中心的系统半导体业务战略也可能发生转变。目前,公司正考虑将重点转向高带宽内存(HB
据报道,业内人士透露,由于DRAM、NAND等存储半导体市场严重低迷,三星电子和SK海力士这两家全球主要的存储芯片制造商已向韩国的一些存储半导体零部件供应商提出降价要求。 自去年以来,三星电子和SK海力士都将降低成本和提高成本效率作为主要任务。此次要求供应商降价,无疑是他们在应对市场压力,优化成本结构方面所采取的又一重要措施。 然而,这一策略性决策也引发了业界对未来供应链动态的关注。存储半导体市场长期以来一直由三星电子和SK海力士主导,此次的降价要求可能会对整个供应链产生一定的影响。 尽管如此
韩国周一公布了计划,通过与三星电子和 SK 海力士推动总投资 622 万亿韩元(4730 亿美元),到 2047 年在首尔南部建立所谓的“半导体巨型集群”。 根据工业和科学部的联合声明,设想的集群包括整个京畿道南部的各个工业区,到 2030 年,总面积将达到 2100 万平方米,每月产能将达到 770 万片晶圆。 具体而言,政府计划在板桥建立无晶圆厂产业专属区,并在华城、龙仁、利川和平泽建立代工和存储芯片生产设施。韩国还将在安城建设材料、零部件和设备企业工业区,并在器兴和水原设立研发设施。 根
据了解,韩国芯片制造巨头SK海力士正在考虑打破美国对华极紫外(EUV)光刻机出口相关限制,以提升其在中国的半导体工厂的技术水平。 这一举动被视为,随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力的提升,一些韩国芯片企业正在采取一切可以使用的方法来提高在华工厂的制造工艺水平。 业内人士透露,SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分DRAM生产设备提升至第四代10纳米工艺。然而,对于“无锡工厂将进行技术升级”的消息,SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。 据了解,无锡工厂是SK海力士的
据《首尔经济日报》报道,SK海力士计划于2024年前完成对其位于中国无锡C2工厂的改造工作,使之成为具备10纳米级第四代(1a)D-ram技术的新生产线。此生产线目前占据Sk海力士D-RAM总产量的大约40%。 Sk海力士期望通过在无锡工厂完成第四代D-RAM制造环节中的部分工艺流程,随后将芯片运回韩国总部利川园区进行EUV处理,最后送回无锡工厂进行后续操作。尽管第四代产品仅需一层使用EUV工艺,但公司仍认为增加的成本是合理可承受的。 鉴于无锡工厂曾遭遇2013年火灾导致D-RAM生产停滞,该