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韩国芯片厂商SK 海力士 (SK Hynix Inc.)10月25日公布2018年第3季(Q3)财报：营收年增41%(季增10%)至11.417万亿韩元、创历史新高；营益年增73%(季增16%)至6.472万亿韩元；营益率年增11个百分点(季增3个百分点)至57%；纯益年增54%(季增8%)至4.692万亿韩元。Thomson Reuters报导，Refinitiv调查显示，分析师原先预期SK海力士第3季营益将达到6.3万亿韩元。SK海力士表示，中国低端智能手机对高密度芯片日益增长的需求将有助

君子报仇，十年不晚。SK海力士遭遇日本突袭，韩日存储企业的恩怨还要回到上世纪80年代。 01 日本突袭，SK海力士或将停产 一波未平，一波又起，G20峰会刚刚结束，中美科技角力大战还未平息。隔天，中国两大邻居日韩就开始掐架了。 7月1日，日本突然对韩国发起了让人意想不到的精准袭击，将加强3种半导体核心原料对韩国的出口管制，4日起，每次出口都必须向政府申请许可。同时，日本着手将韩国从白色国家清单中删除，自8月1日启动。 这三种受到出口管制的原材料分别为氟聚酰亚胺、抗蚀剂和高纯度氟化氢，是智能手机

标题：SK海力士H5WRAGESM8W-N6L DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，全球知名的半导体解决方案提供商，近期推出了一款新型的高速DDR储存芯片——H5WRAGESM8W-N6L。这款芯片凭借其出色的性能和稳定性，在市场上获得了广泛关注。 首先，我们来了解一下H5WRAGESM8W-N6L DDR储存芯片的技术特点。这款芯片采用了最新的DDR4内存技术，具备高速、低功耗、高可靠性的特点。它支持双通道接口，数据传输速率高达4266MHz，能够显著提升系统的整体性能。此外，该

标题：SK海力士H5TQ4G83EFR-TEC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，一直致力于研发和生产高性能、高可靠性的DDR储存芯片。H5TQ4G83EFR-TEC型号的DDR储存芯片便是SK海力士最新的杰出成果之一。本文将深入探讨H5TQ4G83EFR-TED DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 首先，我们来了解一下H5TQ4G83EFR-TEC DDR储存芯片的技术特点。这款芯片采用了最新的DDR4内存技术，具有高速、低功耗、高耐久性的特点。它支

标题：SK海力士H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士公司以其H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片，成功地在高性能内存市场上占据了一席之地。这款芯片采用了最新的DDR技术，为各类电子产品提供了更高的数据传输速度和更低的功耗。 首先，H5TQ4G83EFR-RDI DDR储存芯片采用了最新的DDR3L技术。DDR3L技术是一种低电压版本的DDR3内存技术，它可以在保持高性能的同时，降低功耗，延长设备的使用寿命。此外，这款芯片还采用了先进的内存模组

标题：SK海力士H5TQ4G83EFR-RDC DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士，作为全球领先的半导体制造商之一，近期推出了一款新型的DDR储存芯片——H5TQ4G83EFR-RDC。这款芯片以其出色的性能和稳定性，引起了业界的广泛关注。本文将深入探讨H5TQ4G83EFR-RDC DDR储存芯片的技术特点和方案应用。 一、技术特点 H5TQ4G83EFR-RDC是一款高速DDR储存芯片，其主要特点包括： 1. 高速度：该芯片支持DDR4内存标准，工作频率高达2666MHz，大大

SK海力士H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展，数据存储的需求量越来越大，对储存芯片的要求也越来越高。SK海力士公司推出的H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片，凭借其高性能、高可靠性、低功耗等特点，在各类电子产品中得到了广泛应用。本文将就SK海力士H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片的技术和方案应用进行介绍。 一、技术特点 1. 高速度：H5TQ4G83CFR-TEC DDR储存芯片采用高速DDR3L技术，数据传输速率高达2