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您有过这样的经历吗？设计电路时由于匆忙行事，而忽视了一些基本问题，结果使电路功能与预期不符。。。在交流耦合运算放大器或仪表放大器电路应用中，最常见的问题之一就是没有为偏置电流提供直流回路。今天小编就为大家论述下这个问题，并且提出一种超级实用的解决方案。拿走吧~ 运算放大器：如何为偏置电流提供直流回路错误示范 图1中，一个电容串接在一个运算放大器的同相(+)输入端。这种交流耦合是隔离输入电压(VIN)中的直流电压的一种简单方法，在高增益应用中尤为有用。在增益较高时，即使是放大器输入端的一个较小直

关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体能够通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确认，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。浪涌电流显著变大时，有或许会引起误动作和体系问题。并且，在超越最大额定电流时，有导致损坏的风险。通过与MOSFET Q1的栅极、

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，并且在器材制造时能够在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器材材料。 用于功率器材制造，4H-SiC 为适宜。 2. 功率器材的特征 高耐压功率器材的阻抗首要由该漂移层的阻抗组成，因此选用SiC能够得到单位面积导通电阻十分低的高耐压器材。 而Si材料中，为了改善随同高耐压化而引起的导通电阻增大的问题，首要选用如IGBT（Insulated Gat

1. 器件结构和特征 SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结二极管（FRD:快速恢复二极管），能够明显减少恢复损耗。有利于电源的高效率化，并且通过高频驱动实现电感等无源器件的小型化，而且可以降噪。广泛应用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器、电动汽车的快速充电器等的功率因数校正电路（PFC电路）和整流桥电路中。 2. SiC-SBD的正向特性 SiC-

关于贴片电阻器的尺寸 贴片电阻器的外形尺寸有企业独有的称呼方式和mm、inch标记方式。代表性产品的尺寸互换表如下。 ***是产品名称（多连芯片除外） 什么叫电阻温度系数 关于电阻温度系数 所有物质随温度变化内部阻值会发生变化。电阻器也不例外，随温度变化阻值会发生变化。其变化比例称为电阻温度系数。单位为ppm/°C。根据基准温度条件下的阻值变化率和温度差，可以用下式求得电阻温度系数。电阻温度系数 (ppmppm/°C) = (R-Ra)/Ra÷ (T-Ta) × 1000000Ra: 基准温度