关于负载开关ON时的浪涌电流负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量CL的电荷接近零时，向输出VO施加电压的瞬间会流过大充电电流。这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。浪涌电流的峰值大体能够通过输入电压VI、MOSFET Q1的RDS(on)和负载侧负载容量CL的ESR确认，输入电压VIN变大时，电流也相应变大。 浪涌电流显著变大时，有或许会引起误动作和体系问题。 并且，在超越最大额定电流时，有导致损坏的风险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R1并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，能够缓慢地使RDS(on)变小，然后能够抑制浪涌电流。 ■负载开关等效电路图

关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施 ■Nch MOSFET负载开关等效电路图Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03VIN=5V, IO=1A,　Q1_1G=1V→12VQ2 OFF时， 电子元器件采购网 负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在VO(VGSQ1)之上。）Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。Q1 ON时，因为会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。

关于负载开关OFF时的逆电流即便在负载开关Q1从ON到OFF时，因为存在输出侧负载容量CL，所以输出VO引脚的电压会残留必定时刻。 输入VI侧比输出VO侧电压低时，因为MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出VO侧到输入VIN侧的逆电流。 要注意，不要超越MOSFET Q1的额定电流值。 关于输入旁路电容器CIN的容量值，请在充沛讨论负载侧条件、上升时刻后再决定。 ■负载开关等效电路图

以上就是中国电子元器件行业网站带来的晶体管负载开关。

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