芯片资讯
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2024-09
中国反垄断机构正式立案调查美光,三星,海力士三家公司
5月31日，中国反垄断机构派出多个工作小组，分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证，标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。 去年12月和今年5月中国反垄断机构相继约谈三星、美光，当时DRAM正经历破纪录的七季连涨，发改委方面当时表示，已注意到DRAM行业价格的飙升，将会更多关注未来可能由行业“价格操纵”行为引发的问题，可能存在多家公司协同行动，推高芯片价格，谋求获利最大化的行为。 报道称此次调查内容可能涉及三家厂商在近年来DRAM市场的
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2024-09
传中兴已与美国签署撤销7年禁购令初步协议
4月，对于中兴通讯来说，是一个焦头烂额的时刻，也是中美两国贸易战升温的阶段。2018年4月15日，美国商务部单方面激活美国企业禁止向中兴通讯销售元器件的禁令，为期7年。其理由是中兴违反了美国限制向伊朗出售美国技术的制裁条款。而“拒绝令”一事件不仅对中兴这家公司产生非常严重的影响，也会对与其业务有联系的其他企业造成一定困扰。 据路透社报道，中兴已签署一份撤销美国商务部采购禁令的协议，允许该电信设备制造商恢复与美国供应商的采购业务。 对于这个和解的细节，有消息称，初步的协议内容包括，美国就该事件向
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2024-09
阻容降压电路的可靠性改进
电阻电容降压电路，是我们常用的常见的供电方式之一，一般应用于小家电的控制电路中，如电风扇、暖奶器、酸奶机、煮蛋器、拉发器等等。因为阻容降压供电电路成本极低，所以很多厂家还是愿意使用，尽管存在很多的缺点。 我们看一下常见的阻容降压电路： 我们看到，整个电路包括的器件极少，CBB电容（或者安规电容）、二极管（1个、2个或者4个）、稳压管（由输出电压决定电压值），滤波的电解电容，由此可见这个供电电路的成本是相当的低廉。 这个电路的缺点很明显了： 1. 不隔离，整个电路都是带电的，有可能引起触电事故；
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2024-09
高通骁龙680跑分现身 单核成绩居然超越710
CPU，作为手机的核心部件，其好坏直接影响用户体验。现如今，市面上的手机很大一部分都采用的是高通骁龙移动平台。前段时间，骁龙710惊艳亮相，并且全球首发是在小米8 SE上，从网上各种成绩上来看，骁龙710有机会成为新一代中端王者。 可是近日骁龙710似乎遇到了对手，在GeekBench跑分网站上，一款名为骁龙680的芯片突然现身，单核成绩为1940，多核成绩为5153。重要的是，骁龙680的单核成绩比骁龙710还要高一点，但是多核成绩逊色于骁龙710。 从网上的消息来看，骁龙680是一款中端芯
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2024-09
恩智浦S32V为一汽奔腾SENIA R9自动驾驶视觉系统助力
恩智浦于21日宣布首款采用恩智浦S32V视觉处理系统的乘用车实现量产，首批投产车型为一汽奔腾SENIA R9。该ADAS产品由东软睿驰开发，采用了恩智浦视觉处理系统，预计在未来2-3年内实现百万级产量。 此次量产车所加载的自动驾驶视觉系统基于恩智浦S32汽车控制和计算平台，为全球首个完全可扩展的系统架构，使汽车制造商能够以比以往更快的速度将自动驾驶功能推向市场。S32平台的总体性能比目前表现最好的汽车控制和计算平台高十倍, 能减少同一应用域内90%的软件开发工作量，减少跨应用域40%以上的软件
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2024-09
如何测试晶圆?晶圆形状变化：从圆到不圆
晶圆对于科技来说属于重要组成之一，缺少晶圆，先进的科技将停步不前。那么，当晶圆被制造出来后，如何确定晶圆成品的好坏呢?本文中，小编将对大家介绍晶圆的测试方法，并且将对晶圆的形状变化进行探讨。如果你对晶圆具有兴趣，抑或本文即将要介绍的内容具有兴趣，都不妨继续往下阅读哦。 一、晶圆材质 硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)，接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一
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2024-09
AMD新显卡三连曝：7nm游戏卡明年见、全新架构耐心等
AMD处理器这几年有着稳健的路线图，推进速度也非常快，显卡这边就相形见绌了，特别是随着Raja Koduri的离开，AMD显卡规划也应该正在重新调整。ChipHell论坛网友wjm147196曝料了AMD显卡的未来部分规划，涉及三条线，猛料很多，但真实性还不好说，大家且看看吧。 按照时间顺序，今年第四季度会有一款“Polaris 30”。 这是第一次听说这个名字，将会是Polaris 10(RX 470/480)、Polaris 20(RX 570/580)的升级版，生产工艺从14nm升级到1
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2024-09
国产x86处理器Dhyana开始生产：只是IP授权
由芯片制造商海光(Hygon)负责制造的中国国产Dhyana(禅定)x86处理器开始启动生产。值得注意的是，这款芯片是根据AMD Zen微架构开发的。AMD将x86的IP授权给中国合作伙伴，Dhyana正是合作的结果。 从官方声明看，AMD并没有将最终芯片设计出售给中国伙伴，而是允许合作伙伴为中国服务器市场设计自己的芯片。 Dhyana处理器与AMD EPYC处理器很相似，Linux内核开发者指出，二者只是厂商ID与产品序列号有所不同。事实上，Linux维护者甚至将EPYC支持代码转移到Dhy
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2024-09
二极管三极管和晶闸管场效应管
二极管 以硅（或锗）作为基板，将掺杂了磷和砷的Negative 型半导体（电子不足，空穴较多）和掺杂了硼和镓的Positive 型半导体（电子多余）结合在一起，就称为二极管（PN 结）。 二极管具有单向导电性（单向导通），因此具备整流作用，即让电流只朝一个方向运动。 三极管 三极管也称为双极性晶体管，全称叫做双极性结型晶体管，缩写为BJT，因为种具有三个终端，所以俗称为三极管。将P 型、N 型半导体做成三明治状从而形成NPN 结与PNP 结，中间的那层称为基级Base，两侧的称为发射级Emit
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2024-09
以这样的方式了解晶体管，你会不会更容易理解？
一、晶体管分类： 1、BJT双极型： a、NPN型、PNP型 2、单极型： a、MOSFET 增强型(N沟道、P沟道) 耗尽型(N沟道、P沟道) b、JFET 耗尽型(N沟道、P沟道) 整理如下： 由于篇幅有限，因此本文后续主要讲 NPN BJT。 二、主要参数 1、电流放大系数：表征管子放大作用的主要参数 a、共射电流放大系数β b、共射直流电流放大系数 c、共基电流放大系数 d、共基直流电流放大系数 2、反向饱和电流 a、集电极与基极之间的反向饱和电流 Icbo；表示当发射极e开路时，集电
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2024-09
实现电源电流变压器的应用方案
电流变压器测量电流或将能量从一个电路传输到另一个电路，所以其设计需要不同于相应电压变压器的计算。这种差异的原因在于，电流变压器磁化的电流是负载电流本身；而电压变压器则不同，它磁化的电流“独立”于负载电流，其数值是满负载时总体电流的一小部分。 我们想让电流源为负载（如白炽灯、电压稳压器或稳压二极管）提供电流IL，从而生成初级线圈电流IP（图1）。我们与电流源打交道，所以，若负载消耗电流，则负载电压由负载本身设定。 采用环形磁核实现电源电流变压器的应用方案 为设计电流变压器，我们需了解其磁核的形状
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2024-09
热阻和散热基础知识
现在让我们进入热设计相关的技术话题。热设计所需的知识涵盖了广泛的领域。首先ic交易网交易平台介绍一下至少需要了解的热阻和散热基础知识。 什么是热阻 热阻是表示热量传递难易程度的数值。是任意两点之间的温度差除以两点之间流动的热流量（单位时间内流动的热量）而获得的值。热阻值高意味着热量难以传递，而热阻值低意味着热量易于传递。 热阻的符号为Rth和θ。Rth来源于热阻的英文表达“thermalresistance”。 单位是℃/W（K/W）。 热欧姆定律 可以用与电阻几乎相同的思路来考虑热阻，并且可